變更項(xiàng)目：8位、32位多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)版本更新

變更內(nèi)容： 

數(shù)據(jù)手冊(cè)：ES7P295x_Datasheet_C V1.2

數(shù)據(jù)手冊(cè)：ES7P202x_Datasheet_C V1.4

1. 更新全局中斷使能GIE和低優(yōu)先級(jí)中斷使能GIEL的清0和置1的操作注意事項(xiàng)；

2. 添加ADC工作建立的相關(guān)內(nèi)容；
3. 刪除關(guān)于PB4端口的特別說明；
4. 參數(shù)表中更新“芯片功耗特性”、“ 芯片功能模塊特性”、“芯片IO端口輸入特性”；
5. 更新“2.2 硬件乘法器和硬件除法器”章節(jié)；
6. 更新其他相關(guān)寄存器的部分內(nèi)容。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P179_Datasheet_C V1.2

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P179A_Datasheet_C V1.1

數(shù)據(jù)手冊(cè)：ES7P179x_Datasheet_C V1.2

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P169B_Datasheet_C V1.9

1. 更新全局中斷使能GIE和低優(yōu)先級(jí)中斷使能GIEL的清0和置1的操作注意事項(xiàng)；
2. 添加ADC工作建立的相關(guān)內(nèi)容。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P275_Datasheet_C V1.9

更新全局中斷使能GIE和低優(yōu)先級(jí)中斷使能GIEL的清0和置1的操作注意事項(xiàng)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P159B_Datasheet_C V1.5
1. 新增內(nèi)部高速32KHz時(shí)鐘頻率隨電壓和溫度變化圖；
2. 更新PA1/MRSTN無施密特觸發(fā)輸入相關(guān)內(nèi)容；
3. 更新參數(shù)表中WDT溢出時(shí)間。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P156_Datasheet_C V1.9

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P155_Datasheet_C V1.9

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P153_Datasheet_C V1.6

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P154_Datasheet_C V1.2

1. 更新PA3無施密特觸發(fā)輸入相關(guān)內(nèi)容；

2. 更新全局中斷使能GIE和低優(yōu)先級(jí)中斷使能GIEL的清0和置1的操作注意事項(xiàng)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR7P169_Datasheet_C V1.10

更新全局中斷使能GIE和低優(yōu)先級(jí)中斷使能GIEL的清0和置1的操作注意事項(xiàng)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：HR8P506_Datasheet_C V1.7
1. 更新“睡眠模式的喚醒時(shí)間”章節(jié)；
2. 添加PLL模塊功耗的相關(guān)參數(shù)；
3. 添加ADC工作建立的相關(guān)內(nèi)容，更新ADC章節(jié)其它相關(guān)內(nèi)容；
4. 更新BOR相關(guān)內(nèi)容；
5. 更新I2C章節(jié)部分內(nèi)容。


數(shù)據(jù)手冊(cè)：ES8P508x_Datasheet_C V1.1
1. 新增ES8P5088FLNK QFN32封裝；
2. 更新BOR模塊相關(guān)內(nèi)容；
3. 更新睡眠模式的喚醒時(shí)間的相關(guān)描述；

4. 更新I2C章節(jié)部分內(nèi)容描述。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：ESEM16_Datasheet_C V1.1

刪除“管腳復(fù)用”小節(jié)中GPIO8和GPIO9的復(fù)位功能UART0_RX 和UART0_TX功能。

變更時(shí)間：2018年5月23日