變更日期：2022年4月19日
變更內(nèi)容：
ES32F365x_Datasheet_C V1.4
1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK1，fPCLK1，修訂為96MHz
2.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV
3.表5-6中，根據(jù)最新實(shí)測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值;VBOR電壓遲滯修訂為10mV
4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時(shí)鐘源，所有外設(shè)使能條件下，IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA
5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設(shè)關(guān)閉條件下的參數(shù)由134修訂為137
6.表5-11中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，且修正所有參數(shù)值。
7.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，且增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。
8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15
9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160
10.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內(nèi)修訂為10%
11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10，TA=–40~85°C,最大值修訂為30
12.表5-26中，VIL增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值；VIH增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值；IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.0；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。
13.更新5.5.11章節(jié)的電流驅(qū)動曲線圖
14.表5-33中，修訂VREFP_INT，VDD=3.3V~5V，最小值為1.95，最大值為2.10
15.表5-34，ERRINL最大值修訂為14LSB
16.表5-35，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB
17.表5-36中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40
18.修訂圖5-1
19.章節(jié)3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP
ES32F366x_Datasheet_C V1.4
1.表2-1中，GPIO數(shù)量修訂為88,52,36
2.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修訂為96MHz
3.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV
4.表5-6中，根據(jù)最新實(shí)測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值
5.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時(shí)鐘源，所有外設(shè)使能條件下，IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA
6.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設(shè)關(guān)閉條件下的參數(shù)由134修訂為137
7.表5-11中，修訂STOP2模式下的功耗值
8.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，并增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。
9.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15
10.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160
11.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內(nèi)修訂為10%
12.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10；TA=–40~85°C,最大值修訂為30
13.表5-26中，IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.0；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。
14.表5-35，ERRINL最大值修訂為14LSB
15.表5-36，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB
16.表5-37中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40
17.修訂圖5-1
18.章節(jié)3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP
ES32F369x_Datasheet_C V1.4
1.表5-4中，fHCLK1，fHCLK2，fPCLK1，修訂為96MHz
2.表5-5中，增加Vstart，VDD上電初始電壓最大值200mV
3.表5-6中，根據(jù)最新實(shí)測值，修訂VBOR最小值，典型值和最大值；VBOR電壓遲滯修訂為10mV
4.表5-7,5-8,5-9中，最大值，TA=85修訂為典型值，TA=25；表5-7中，HOSC時(shí)鐘源，所有外設(shè)使能條件下，IVDD修訂為
96MHz 24.6mA
72MHz 19.8mA
48MHz 14.0mA
36MHz 11.0mA
24MHz 7.6mA
5.表5-10中，最大值（VDD=5V,TA=85）修訂為典型值，外設(shè)關(guān)閉條件下的參數(shù)由134修訂為137
6.表5-11中，修訂STOP2模式下的功耗值
7.表5-12中，修訂standby模式下的電流特性，并增加備注：STANDBY模式下的電流特性值，是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。
8.表5-16中，CL1，CL2的典型值修訂為15
9.表5-18，ACCHRC24M，最大值修訂為3，IDD，HRC電流，24MHz，典型值修訂為160
10.表5-19，ACCLRC精度在全溫度范圍內(nèi)修訂為10%
11.表5-20，ACCULRC，TA=25，最大值修訂為10；TA=–40~85°C,最大值修訂為30
12.表5-26中，VIL(CMOS)條件下的最大值修訂為0.2xVDD；VIL(TTL)條件下，VDD=5V時(shí)，最大值修訂為0.8V，VDD=3.3V時(shí)，最大值修訂為0.6V；IOL在VDD=2.5VVOL=0.2V的條件下，最小值，典型值，最大值修訂為0.6,0.8和1.2；I/O上下拉電阻RPU和RPD最小，典型和最大值修訂為34，35，36kΩ。
13.更新5.5.11章節(jié)的電流驅(qū)動曲線圖
14.表5-34，VREFP_INT在條件VDD=3.3V~5V下，修訂為最小值1.95，最大值2.10
15.表5-35，ERRINL最大值修訂為14LSB
16.表5-36，ERRDNL最大值修訂為8LSB；ERRINL最大值修訂為18LSB
17.表5-37中，修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL，典型值為25，最大值為40
18.修訂圖5-1
19.章節(jié)3.2管腳功能定義中，ACMP0修訂為ACMP
ES32F36xx_Reference_Manual_C V1.4
1.表3-4中，WAKEUP端口中斷修訂為WAKEUP端口電平變化
2.章節(jié)5.2，添加“存儲器讀取等待時(shí)間可配置”特性的描述
3.章節(jié)5.5.2.10，修訂MSC_FLASHFPL的復(fù)位值為0x0000003F
4.章節(jié)6.4.2.3，修訂SYSCFG_USBCFG的復(fù)位值為0x01680003
5.章節(jié)7.4.3.6，修訂“APB2外設(shè)可工作”為“ACMP，LVD，IWDT，WWDT，RTC，TSENSE等可工作”
6.章節(jié)9.5.2.2，修訂CMU_CFGR的復(fù)位值為0x04000000
7.章節(jié)9.5.2.17，修訂CMU_PERIDIVR的復(fù)位值為0x00000000
8.章節(jié)14.4.2.3，修訂WWDTWIN中11設(shè)置的描述
9.章節(jié)20.5.2.16，修訂AD16C4Tn_AR的復(fù)位值為0x0000FFFF
10.章節(jié)21.5.2.3，修訂GP16C4Tn_SMCON寄存器中ETFLT的寄存器描述
11.章節(jié)32.5.2.25，修改ADCH_PBUF_EN和ADCH_NBUF_EN比特位的描述
12.章節(jié)29.5.2，修訂USB_TXIE，USB_RXIE，USB_CONFIG0的復(fù)位值為0x00000000
13.章節(jié)31.6.2，修訂QSPI_SPR，QSPI_IFR的復(fù)位值為00000000_00000000_00000000_00000000和00000000_00000000_00001000_00000000;修訂QSPI_FCWLR為(R/W)，QSPI_FCWHR為(R/W)
14.更新圖25-11，圖25-12，圖25-14，圖25-25
